Производитель Номер продукта:
TSM4NB60CP ROG
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM4NB60CP ROG-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
Подробное описание:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Инвентаризация:
9 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12897596
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM4NB60CP ROG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
TSM4NB60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
TSM4NB60CPROGCT
TSM4NB60CP ROGTR-DG
TSM4NB60CP ROGDKR
TSM4NB60CPROGDKR
TSM4NB60CP ROGTR
TSM4NB60CP ROGCT-DG
TSM4NB60CP ROGCT
TSM4NB60CP ROGDKR-DG
TSM4NB60CPROGTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM2301CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
TSM045NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
TSM150P04LCS RLG
MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP
